特許

J-GLOBAL ID：200903099279848901

中性ビーム発生装置

発明者： 横川 賢悦 ,  湯之上 隆
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-045257
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241877
出願日： 1995年03月06日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 気体をプラズマ状態にする手段と該プラズマからイオンを引き出す複数枚の多孔引き出し電極群からなり、該多孔引き出し電極群のうち最後段に位置する電極を高温に加熱する機構を付加した。【効果】 多孔引き出し電極群のうち最後段に位置する電極を高温に加熱することで、該電極は熱電子を放出しやすい状態となる。これにより高温に加熱した電極を加速されたイオンが通過するとき、イオンの電荷により熱電子が引き出されイオンと再結合することにより高速な中性粒子が形成される。熱電子との再結合で中性粒子を形成するため、粒子種による電荷交換確立の違いから生じる中性化効率の差が小さい。幅広い種類の中性ビームを高密度で形成できる装置が実現可能となる。従来装置で問題であった気相中での散乱によるビームの直進性劣化も低減できる。

請求項（抜粋）：

気体をプラズマ状態にする手段と該プラズマに電界を作用させイオンを引き出す複数枚の引き出し電極群からなり、該引き出し電極の少なくとも1個を加熱し熱電子放出しやすい状態とすることで、引き出したイオンを該熱電子で中性化し中性ビームを形成し、該中性ビームで半導体材料の表面処理を行なうことを特徴とする中性ビーム発生装置。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 21/30 529 ,  H01L 21/30 541 C