特許

J-GLOBAL ID：200903099282415765

半導体装置製造方法

発明者： ロナルド デッカー ,  ヘンリカス ホデフリダス ラファエル マース ,  ウイルヘルムス テオドラス アントニウス ヨハネス ファン デン アインデン
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-122303
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321298
出願日： 1995年05月22日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 同一のホトリソグラフィック装置及び同一の位置合わせマークを用いて半導体装置を製造できるようにする。【構成】 絶縁層3及び半導体材料層4が設けられた半導体スライスの第1面上に、半導体素子5及び導体トラック14を形成する。次に、半導体スライスを第1面の側で支持スライス15に固定し、その後絶縁層3が露出しはじめるまで材料除去する。絶縁層3に、導電素子19を設けたコンタクト窓18を設ける。これを、半導体スライスが支持スライス15に固定される前に、半導体スライスの第1面から行う。半導体素子5を、導電素子19を介して接触ワイヤ20と外部接触させる。コンタクト窓18及び導電素子19を、半導体素子の製造が実行される処理工程中に形成することもできる。

請求項（抜粋）：

絶縁層を介して半導体材料層を設けた半導体スライスの第1面に半導体素子及び導体トラックを形成し、その後前記半導体スライスを前記第1面の側で支持スライスに固定し、その後前記絶縁層が露出されるまで前記半導体スライスをその第2面から材料除去し、この間に、前記半導体層に接続される導電素子を設けるコンタクト窓を、前記絶縁層に設けて半導体装置を製造するに当たり、前記半導体スライスを前記支持スライスに固定する前に、前記絶縁層にコンタクト窓を設け、かつ、このコンタクト窓内において前記導電素子を、前記半導体スライスの前記第1面から設けることを特徴とする半導体装置製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/30 502 M ,  H01L 29/78 627 D