特許

J-GLOBAL ID：200903099285963224

反射防止膜及びその形成方法並びに形成装置

発明者： 小林 富夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-316028
公開番号（公開出願番号）：特開平10-160902
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 使用するターゲットが単一ですみ、単一のスパッタ装置で膜形成を行うことのできる反射防止膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】 スパッタ装置1は、成膜室2と、ターゲット15にエネルギーを当てる手段と、成膜室内の雰囲気を制御する手段(ガス供給管21、ボンベ29、35等)を備える。この装置1において、低屈折率膜と高屈折率膜とをスパッタ法により積層して反射防止膜を形成する際に、ターゲット材をSi一種として、スパッタ時の雰囲気ガスをO2 とし、その濃度又は圧力をコントロールすることにより、低屈折率膜としてのSiO2 膜(n=1.6)と高屈折率膜としてのSiO膜(n=1.9)を基板上に積層する。これにより、ターゲット材は一種類でありながら、低屈折率膜と高屈折率膜の積層構造のAR膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

低屈折率膜と高屈折率膜とがスパッタリング法により積層されて形成された反射防止膜であって;両膜を構成する物質が、同一組成のターゲットからスパッタされた元素(ターゲット元素)とガス成分元素との異なる組成の反応物であることを特徴とする反射防止膜。

IPC (4件)：

G02B 1/11 ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 9/00 ,  C23C 14/06

FI (4件)：

G02B 1/10 A ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 9/00 A ,  C23C 14/06 P