特許

J-GLOBAL ID：200903099291618954

発光ダイオード用AlGaAsエピタキシャルウェハ及びその製造方法

発明者： 栗原 徹 ,  菊池 幸夫 ,  柴田 幸弥
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-334816
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156007
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 サイリスタ現象領域が殆ど発生しない新規な発光ダイオード用AlGaAsエピタキシャルウェハ及びその製造方法の提供。【解決手段】 GaAs単結晶基板1上にp型AlGaAs層2とn型AlGaAs層3とを液相エピタキシャル法によって形成してなる発光ダイオード用AlGaAsエピタキシャルウェハにおいて、上記n型AlGaAs層3中のカーボン(C)濃度を1.0×1017/cm3 未満とすることにより、ウェハ中のサイリスタ現象領域の発生を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

GaAs単結晶基板上にp型AlGaAs層とn型AlGaAs層とを液相エピタキシャル法によって形成してなる発光ダイオード用AlGaAsエピタキシャルウェハにおいて、上記n型AlGaAs層中のカーボン(C)濃度が1.0×1017/cm3 未満であることを特徴とする発光ダイオード用AlGaAsエピタキシャルウェハ。

IPC (2件)：

H01L 21/208 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/208 S ,  H01L 33/00 A

Fターム (22件)：

5F041AA41 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA63 ,  5F053AA01 ,  5F053BB03 ,  5F053BB12 ,  5F053BB42 ,  5F053DD05 ,  5F053FF02 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK01 ,  5F053KK04 ,  5F053KK07 ,  5F053LL02 ,  5F053RR01 ,  5F053RR03 ,  5F053RR11