特許
J-GLOBAL ID：200903099292432986
リソグラフィ装置の放射線量決定方法、及び該方法実施用テストマスク及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-530746
公開番号（公開出願番号）：特表平11-509690
出願日： 1997年02月10日
公開日（公表日）： 1999年08月24日
要約：
【要約】パターンを基板(W)上に、マスクパターン(C)を介して又は介さずに形成する方法及び装置に関する。製造放射(PB)により基板上の放射感応層に形成した新非対称テストマーク(TM)の潜像を装置内に予め存在する又はこれと関連する光学アライメント装置により測定することにより放射線量を精密に且つ高信頼度に測定することができる。
請求項（抜粋）：
基板テーブルに設けられた基板上にパターンを形成する装置内の製造放射線量を測定する方法であって、 放射感応層を有する基板を基板テーブルに設けるステップと、 少なくとも1つの基板テストマークを放射感応層に製造放射により付与するステップと、 基板テストマークを、基板アライメントマークを基準アライメントマークに対しアライメントさせる光学アライメント装置によって検出するステップとを具え、 基板テストマークは、基準アライメントマークの周期に実効的に等しい周期を有するとともに照射ストリップと無照射ストリップの非対称分布を有する周期構造を有し、前記テストマークの検出ステップは、 最初に、基板テストマークを基準アライメントマークに対しアライメントさせるステップと、 次に、製造放射線量に依存する基板テストマークの非対称性を、アライメント装置により基板テストマークのオフセットとして検出するステップとからなる放射線量測定方法において、 基板テストマークは、周期毎に、少なくとも2以上の異なるサブ製造放射線量により形成された少なくとも2つの照射ストリップを有することを特徴とするパターン形成装置内の製造放射線量測定方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, G03F 9/00
, H01L 21/68
H01L 21/30 525 E
, G03F 7/20 521
, G03F 9/00 H
, H01L 21/68 K
