特許

J-GLOBAL ID：200903099293384004

電子ビーム励起プラズマCVDによる炭素系高機能材料薄膜の成膜方法

発明者： 伴 雅人 ,  龍治 真 ,  森 幸隆 ,  東海 正國
出願人/特許権者： 川崎重工業株式会社
代理人 (1件)： 関 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-088964
公開番号（公開出願番号）：特開平10-265955
出願日： 1997年03月24日
公開日（公表日）： 1998年10月06日
要約：

【要約】【課題】 電子ビーム励起プラズマCVDを利用して、高硬度の炭素系高機能材料薄膜、特に、基板との密着性の良い炭素系高機能材料薄膜をより簡単なプロセスを用いたより簡単な生産性の高い装置で成膜する方法を提供する。【解決手段】 電子ビーム励起プラズマCVDにおいて、基板を収容した真空容器に炭素含有原料ガスを導入し、電子ビームを照射して原料ガスからプラズマを生成し、基板に100Vないし200Vの負のバイアス電圧を印加して、基板上に高硬度の炭素系薄膜を成膜する。電子ビームガンにおける電子の加速電圧を50V以上とすることが好ましい。さらに、基板に印加する負のバイアス電圧を、成膜工程の前期に200V以上とし後期に100Vから200V未満とすることにより密着性を向上させる。

請求項（抜粋）：

基板を収容した真空容器に炭素を含有する原料ガスを導入し、電子ビームガンから加速した電子を照射して原料ガスを解離・電離することにより電子ビーム励起プラズマを生成し、基板に100Vないし200Vの負のバイアス電圧を印加して、基板上に高硬度の炭素系薄膜を成膜することを特徴とする炭素系高機能材料薄膜の成膜方法。

IPC (4件)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/314

FI (4件)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/314 A