特許
J-GLOBAL ID：200903099293781020
バンプの接合状態検査方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-037920
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235136
出願日： 1992年02月25日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明はバンプの接合により基板に実装されたシリコン製の半導体チップの検査に関し、大がかりな装置を必要とせずにバンプの接合状態を検査できるバンプ接合状態検査方法及び装置を提供することを目的とする。【構成】 XYテーブル11の上方に赤外レーザ発振器12、反射鏡13、集光レンズ14を設ける。赤外レーザ発振器12からのレーザ光を受光する位置に結像レンズ15、赤外線カメラ16を配置する。赤外レーザ発振器12からのレーザ光を反射する部分に垂直にもう一つのレーザ光が照射されるように集光レンズ17、反射鏡18、YAGレーザ19を設ける。赤外線カメラ16よりの画像情報を数値化してバンプの良否を判定するように構成する。
請求項（抜粋）：
シリコンよりなる半導体チップ(1)がバンプ(2)により接合された状態において赤外レーザ光を半導体チップ(1)に照射し、該半導体チップ(1)の表面(1a)と該バンプ(2)の接合面(1b)からの反射光により形成される第一のスペックルパターンの画像情報を得、該バンプ(2)を選択的に加熱し、再び赤外レーザ光を照射して半導体チップの表面(1a)と加熱された該バンプ(2)の接合面(1b)からの反射光により形成される第二のスペックルパターンの画像情報を得、該第一のスペックルパターンと該第二のスペックルパターンの画像情報を数値化してその差を計算し、その差を所定の閾値と比較して該バンプ(2)の接合状態の良否を判定することを特徴とするバンプの接合状態検査方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66
, H01L 21/60 321
