特許
J-GLOBAL ID：200903099293875695
表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-177454
公開番号（公開出願番号）：特開平11-024604
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 基板上に有機半導体膜の形成領域を規定するためのバンク層を利用して、データ線や駆動回路に容量が寄生することを防止することのできる表示装置を提供すること。【解決手段】 エレクトロルミネッセンス素子またはLED素子のような発光素子を構成するための有機半導体膜を画素領域7に形成する際には、その周囲に黒色のレジストからなるバンク層bankを形成しておく。このバンク層bankは、画像信号を画素領域7の第1のTFT20および保持容量capに供給するデータ線sigと対向電極opとの間にも形成し、データ線sigに容量が寄生するのを防止する。
請求項（抜粋）：
基板上に、複数の走査線と、該走査線の延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線と、該データ線に並列する複数の共通給電線と、前記データ線と前記走査線とによりマトリクス状に形成された画素領域とを有し、該画素領域の各々には、前記走査線を介して走査信号が第1のゲート電極に供給される第1の薄膜トランジスタと、該第1の薄膜トランジスタを介して前記データ線から供給される画像信号を保持する保持容量と、該保持容量によって保持された前記画像信号が第2のゲート電極に供給される第2の薄膜トランジスタと、前記画素領域毎に形成された画素電極と前記データ線を跨いで複数の前記画素電極に対応する対向電極との層間において前記画素電極が前記第2の薄膜トラジスタを介して前記共通給電線に電気的に接続したときに前記画素電極と前記対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する有機半導体膜を具備する発光素子とを有する表示装置において、前記有機半導体膜のうち、発光領域は、前記有機半導体膜よりも厚い絶縁膜からなるバンク層で囲まれているとともに、該バンク層は、前記データ線の少なくとも一部を覆うように構成されていることを特徴とする表示装置。
IPC (3件)：
G09F 9/30
, G09G 3/30
, H05B 33/26
G09F 9/30 D
, G09G 3/30 Z
, H05B 33/26
