特許

J-GLOBAL ID：200903099298549117

半導体装置の電極パツド構造

発明者： 後藤 順一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-155013
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006915
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法,特に,ワイヤボンデイング時の下地膜との剥離防止に関し,下地膜及び電極パッド部分の構造を見直し,安定した半導体装置の電極パッド構造を得ることを目的とする。【構成】 絶縁膜で被覆された半導体基板上のボンディングワイヤ接続用電極パッド部分の構造において, 該絶縁膜がSiO2膜, 或いはPSG膜からなり, かつ,電極パッドが下層にAl, またはその合金膜, 中間層にTi化合物膜, 上層にAl膜,またはその合金膜の三層構造からなるように,或いは,電極パッドが下層にTi化合物膜, 上層にAl膜, またはその合金膜の二層構造からなり,かつ,ワイヤボンディング後,パッド部のAlまたはAuワイヤにポリイミド樹脂膜,或いは,シリコーン樹脂膜を被覆するように構成する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜で被覆された半導体基板上のボンディングワイヤ接続用電極パッド部分の構造において,該絶縁膜が二酸化シリコン膜, 或いは燐珪酸ガラス膜からなり, かつ, 電極パッドが下層にアルミニウム膜, またはその合金膜, 中間層にチタン化合物膜, 上層にアルミニウム膜, またはその合金膜の三層構造からなることを特徴とする半導体装置の電極パッド構造。