特許
J-GLOBAL ID：200903099298959277
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-060426
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267678
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】高速化、高集積化に適した半導体装置を提供する。【構成】半導体基板20に、半導体素子の動作領域となるソース層21、チャネル層22およびドレイン層23が縦方向に形成され、チャネル層22は、ソース-ドレイン間で電子を高速移動させる物質からなり、その側壁にゲート絶縁膜25が形成され、ゲート絶縁膜25を介してチャネル層25と接続するようゲート電極取出部26が形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板に、半導体素子の動作領域となるソース層、チャネル層およびドレイン層が縦方向に形成され、前記チャネル層は、ソース層とドレイン層と間で電子を高速移動させる物質からなり、該チャネル層の側壁にゲート絶縁膜が形成され、該ゲート絶縁膜を介してチャネル層と接続するようゲート電極取出部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 X
, H01L 29/78 321 H
