特許
J-GLOBAL ID：200903099300555006
半導体装置評価用プローブ構造体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181454
公開番号（公開出願番号）：特開2001-013166
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 個々のプローブ針が独立にバネ性を有し、パッドピッチの制約が少ない半導体装置評価用プローブ構造体を提供し、この構造体を容易に形成する製造方法を提供する。【解決手段】 このプローブ構造体は、一端がテスタに接続され、他端がウェーハの電極に接触され、且つ弾性絶縁体2に包み込まれて固定された導体線1を備えている。複数の導体線を任意の配列に保持させてから、例えば、シリコンゴム等の弾力性があり、且つ容易に導体線間に流し込むことのできる材料を用いてその配列状態を保持固定する。このように構成されたプローブ構造体のプローブは、弾性絶縁体で個々に支持されており、個々のプローブが独立にバネ性を有することができる。また板バネやスプリングを用いる必要がないためレイアウトの制約やパッドピッチの制約も小さくなる。
請求項（抜粋）：
弾性絶縁体とこの弾性絶縁体に包み込まれて固定された導体線とを具備し、前記導体線の一端は、テスタに電気的に接続され、他端は、半導体ウェーハ上の電極に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置評価用プローブ構造体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 1/073 F
, H01L 21/66 B
2G011AA02
, 2G011AA16
, 2G011AB06
, 2G011AB08
, 2G011AC14
, 2G011AE03
, 2G011AF07
, 4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106BA14
, 4M106DD03
, 4M106DD04
