特許

J-GLOBAL ID：200903099313942904

半導体装置およびその製造方法

発明者： 北和田 清文
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116405
公開番号（公開出願番号）：特開2000-305107
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 TFTと容量素子が同一基板上に形成された半導体装置およびその製造方法において、ゲート電極の剥離を防止するとともに、その生産性を高め、さらに、不純物を導入した際に発生した容量素子の誘電体膜の欠陥を修復することのできる構成を提供すること。【解決手段】 アクティブマトリクス基板(半導体装置)の製造方法では、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜14、24、34および誘電体膜44の表面にタンタル膜を形成した後、このタンタル膜を酸化させることによりタンタル酸化膜からなる下地層151、251、351、451を形成し、しかる後に下地層の表面にタンタル電極層152、252、352、452を形成してTFTのゲート電極15、25、35および容量素子の第2電極45を形成する。タンタル膜に対する酸化は、高湿度雰囲気中での熱処理により行い、それより以前にゲート絶縁膜および誘電体膜を介して半導体膜に不純物を打ち込んだ際の欠陥を誘電体膜44から除去する。

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜トランジスタと、不純物が導入された半導体膜からなる第1電極、該第1電極を覆うように形成された誘電体膜、および該誘電体膜を介して前記第1電極に対向するように形成された第2電極を備える容量素子とが形成された半導体装置において、前記薄膜トランジスタのゲート電極および前記第2電極は、タンタル酸化膜からなる第一層と、該第一層の表面に形成されたタンタルを主成分とする第二層とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

G02F 1/136 500 ,  G09F 9/00 346 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

G02F 1/136 500 ,  G09F 9/00 346 E ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 612 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 617 U

Fターム (92件)：

2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA35 ,  2H092JA36 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092KB23 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA25 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  2H092RA05 ,  5C094AA32 ,  5C094AA42 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435EE37 ,  5G435HH16 ,  5G435KK05