特許
J-GLOBAL ID:200903099318181251

積層セラミックコンデンサとその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-051090
公開番号(公開出願番号):特開2005-243890
出願日: 2004年02月26日
公開日(公表日): 2005年09月08日
要約:
【課題】静電容量が大きく、かつ耐電圧性とDCバイアス特性の優れた積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。【解決手段】積層セラミックコンデンサの誘電体層を構成する粒子の平均粒径を、粒径の大きい第1の結晶粒子と粒径の小さい第2の結晶粒子で構成し、第1の結晶粒子の平均粒径をR1、第2の結晶粒子の平均粒径をR2とした時、0.10μm≦R1≦0.30μmであり、かつR1とR2の比R1/R2≧5であり、さらに誘電体層の一観察面での単位面積当たりに存在する第1の結晶粒子が占める面積をS1、第2の結晶粒子が占める面積をS2とした時、S1とS2の比S2/S1が0.10≦S2/S1≦0.40とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
誘電体層と内部電極とを交互に積層した積層体と、前記積層体の表面に形成した外部電極とを備え、前記誘電体層を構成する粒子は、粒径の大きい第1の結晶粒子と粒径の小さい第2の結晶粒子とを有し、第1の結晶粒子の平均粒径をR1、第2の結晶粒子の平均粒径をR2とした時、0.10μm≦R1≦0.30μmであり、かつR1とR2の比R1/R2≧5である積層セラミックコンデンサ。
IPC (2件):
H01G4/12 ,  H01G4/30
FI (5件):
H01G4/12 349 ,  H01G4/12 358 ,  H01G4/12 364 ,  H01G4/30 301E ,  H01G4/30 311F
Fターム (17件):
5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC14 ,  5E082EE04 ,  5E082FF05 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082GG10 ,  5E082LL02
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 積層型電子部品
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-160580   出願人:京セラ株式会社

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