多層基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-037243
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036236
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】多層基板の製造において、レーザなどによるビアホール形成工程をなくし、かつ、シールド壁の形成および素子の個片分割を容易にする。【解決手段】フォトレジスト膜形成とフォトリソ処理と導体形成及び絶縁層形成を繰り返すことにより、前記導体層と、ビアおよび導体充填された空孔予定部位とを同時的に絶縁層に埋め込み形成し、空孔予定部位を所壁として後工程で溶解したり、シールド壁として樹脂に埋め込む。

請求項（抜粋）：

導体層と絶縁層が交互に積層されビアで層間接続がなされる多層基板の製造方法において、フォトレジスト膜形成とフォトリソ処理と導体形成及び絶縁層形成を繰り返すことにより、前記導体層と、ビアおよび導体充填された空孔予定部位とを同時的に絶縁層に埋め込み形成し、前記空孔予定部位を所定の位置にしてビルドアップを繰り返して空孔予定部を形成することを特徴とする多層基板の製造方法。

FI (3件)：

H05K 3/46 B , H05K 3/46 N , H05K 3/46 Z

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