特許
J-GLOBAL ID：200903099325642361
透過電子顕微鏡用試料とその作成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-301516
公開番号（公開出願番号）：特開平11-132922
出願日： 1997年11月04日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 容易かつ短時間で、スパッタエッチング速度の異なる材料を均一に薄片化可能とする。【解決手段】 Si基板上に形成されたTEM観察対象となる材料2を内側として、3枚のSi基板をエポキシ樹脂で固定して円柱状に整形し、TEM観察対象となる材料2に垂直に、ダイシングソー装置を用いた切り込み溝12を形成する。その後、Arをイオン種としたイオンビーム7の照射により、切り込み溝12に沿った方向からのみ選択的にイオンビーム7をTEM観察対象の材料2とその周辺部に入射し、スパッタエッチングにより薄片化する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成されている断面観察箇所に対し垂直の切り込み溝が設けられていることを特徴とする透過電子顕微鏡用試料。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G01N 1/28 F
, G01N 1/32 B
, G01N 1/28 G
