不揮発性メモリの製造方法と不揮発性メモリ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (13件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 米田圭啓 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-146474
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324480
出願日： 2005年05月19日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

【課題】反応物の脱水和処理などの前処理工程が不要であるとともに、扱い易い溶媒を用いて不揮発性メモリを製造する製造方法及びその製造方法により製造された不揮発性メモリを提供する。【解決手段】本発明の不揮発性メモリの製造方法は、下部電極14と、下部電極14の表面に形成された可変抵抗特性を有する金属酸化物の層15と、金属酸化物の層15の表面に形成された上部電極16と、を備えた不揮発性メモリ10の製造方法である。そして、下部電極14の表面に、金属アルコキシド及びアルコールを含むゾル溶液からなる膜を形成する膜形成工程と、ゾル溶液をゲル化させるゲル化工程と、ゲルを酸化させる工程と、を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と、前記第1電極の表面に形成された可変抵抗特性を有する金属酸化物の層と、前記金属酸化物の層の表面に形成された第2電極と、を備えた不揮発性メモリを製造する方法であって、前記第1電極の表面に、金属アルコキシド及びアルコールを含むゾル溶液からなる膜を形成する膜形成工程と、前記ゾル溶液をゲル化させるゲル化工程と、前記ゲルを酸化させる酸化工程と、を備えていることを特徴とする不揮発性メモリの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 27/10

FI (1件)：

H01L27/10 451

Fターム (7件)：

5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083PR23

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,664,117号明細書

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