特許

J-GLOBAL ID：200903099341928720

不揮発性メモリセル

発明者： 大月 哲也 ,  高田 正日出
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-091418
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264728
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】例えばプロセッサ中のレジスタ等の内容を不揮発で記憶するのに適した、省面積な強誘電体不揮発性メモリセルを提供する。【構成】電源投入時には、短絡スイッチ105、106により強誘電体キャパシタ107、108間の電位差を共に零とした後、第3の制御入力5の電位を上昇させることにより、強誘電体キャパシタ107、108に記憶されていたデータを電位差として読みとり、フリップフロップ回路100で増幅する。電源切断時には、第3の制御入力5の電位を下げ、フリップフロップ回路100の電位差を強誘電体キャパシタ107、108に書き込んだ後、短絡スイッチ105、106により強誘電体キャパシタ107、108間の電位差を共に零とする。

請求項（抜粋）：

第1、第2の制御入力により駆動され、相補型の信号を出力する揮発性のメモリ回路と、前記メモリ回路の第1、第2の入出力端子と第3の制御入力との間にそれぞれ接続された第1、第2の強誘電体キャパシタと、前記メモリ回路の前記第1、第2の入出力端子と前記第3の制御入力との間にそれぞれ接続された第1、第2のスイッチ素子と、を含むことを特徴とする不揮発性メモリセル。

IPC (6件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/22 ,  G11C 14/00 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 441 ,  G11C 11/22 ,  G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/40 101 ,  H01L 29/78 371