特許

J-GLOBAL ID：200903099342249142

プラズマエッチング方法

発明者： 南部 英高
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-282020
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121438
出願日： 1997年10月15日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、径が0.3以下、特に0.25μm以下であってアスペクト比が高いホールを酸化シリコン膜に容易に形成するプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】 酸化シリコン膜上に所定の開口を有するレジスト膜を形成し、フルオロカーボン系ガスを含むエッチングガスを用いて、この開口からプラズマエッチング法により酸化シリコン膜にホールを形成するプラズマエッチング方法において、エッチング中に前記レジスト膜上に堆積するフルオロカーボン膜の炭素/フッ素比が1.1〜1.8であることを特徴とするプラズマエッチング方法。

請求項（抜粋）：

酸化シリコン膜上に所定の開口を有するレジスト膜を形成し、フルオロカーボン系ガスを含むエッチングガスを用いて、この開口からプラズマエッチング法により酸化シリコン膜にホールを形成するプラズマエッチング方法において、エッチング中に前記レジスト膜上に堆積するフルオロカーボン膜の炭素/フッ素比が1.1〜1.8であることを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 C