特許

J-GLOBAL ID：200903099344806464

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 山田 彪夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 石井 康夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-343440
公開番号（公開出願番号）：特開平5-203982
出願日： 1982年03月25日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【構成】 ガラス基板上に形成された薄膜トランジスタの製造方法において、ガラス基板の表面を洗浄した後、洗浄されたガラス基板上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に薄膜トランジスタを形成する。【効果】 ガラス基板表面の不純物を除去し、ガラス基板からの不純物を絶縁膜でブロックできるので、トランジスタのチャンネル部の不純物濃度が一定となり、トランジスタの動作特性が安定する。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に形成された薄膜トランジスタの製造方法において、該ガラス基板の表面を洗浄する工程、該洗浄されたガラス基板上に絶縁膜を形成する工程、該絶縁膜上に薄膜トランジスタを形成する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 21/84 ,  H01L 29/784 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭55-008026
  
• 特開昭50-029620
  
• 特開昭50-045465