特許
J-GLOBAL ID:200903099349159467
無限層超伝導体
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
西澤 利夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-145973
公開番号(公開出願番号):特開平6-016419
出願日: 1992年06月05日
公開日(公表日): 1994年01月25日
要約:
【要約】【構成】 CuO2 導電面を持つ無限層構造の物質に対して、高圧力下で、アルカリ土類金属、または、希土類金属をドープさせてなる超伝導体。【効果】 まったく新しいタイプの超伝導体の実現を可能とし、臨界電流密度(Jc)が非常に高い無限層構造超伝導性物質が提供される。
請求項(抜粋):
銅の周りに酸素が平面四配位したCuO2 導電面を持つ無限層構造の物質に対して、高圧力下で、アルカリ土類金属、または、希土類金属をドープさせてなる無限層超伝導体。
IPC (4件):
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, H01B 12/00 ZAA
, H01L 39/02 ZAA
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