特許

J-GLOBAL ID：200903099352459935

電子ビームを利用した半導体装置の層間絶縁膜形成方法

発明者： 具 株 善 ,  金 成 ▲こう▼ ,  李 海 程 ,  黄 秉 槿
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-106747
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121451
出願日： 1998年04月16日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 CVD法によって形成される層間絶縁膜を電子ビームを使用して安定化させる方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10上にCVD酸化膜20を形成し、電子ビーム照射装置を使用してCVD酸化膜20を所定時間常温〜500°Cの温度で電子ビームで照射し緻密化させる。また、電子ビーム照射段階後に、CVD酸化膜を平坦化する段階をさらに含むことができ、平坦化されたCVD酸化膜は電子ビーム照射装置を使用して所定時間常温〜500°Cの温度で電子ビームで照射される。平坦化されたCVD酸化膜上に第2キャッピング層を形成する。第2キャッピング層が形成された結果物を所定時間常温〜500°Cの温度で電子ビームで照射できる。これにより、層間絶縁膜に吸収された水分を効果的に取り除くことができ、後続工程で層間絶縁膜で発生可能な吸湿現象を低温工程によって効果的に防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にCVD酸化膜を形成する段階と、電子ビーム照射装置を使用して前記CVD酸化膜を所定時間常温〜500°Cの温度で電子ビームで照射し緻密化させる段階とを含むことを特徴とする半導体装置の層間絶縁膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/312

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/312 N

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-364040