特許
J-GLOBAL ID:200903099353459386
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-345338
公開番号(公開出願番号):特開2000-169554
出願日: 1998年12月04日
公開日(公表日): 2000年06月20日
要約:
【要約】【課題】 耐半田ストレス性、長期の耐熱性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供すること。【解決手段】 式(2)で示されるエポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に30〜100重量%含むエポキシ樹脂、一分子中にフェノール性水酸基を2個以上含むフェノール樹脂、無機充填材を必須成分とし、全樹脂組成物中の無機充填材が75〜93重量%である半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれにより半導体素子を封止した半導体装置。【化2】
請求項(抜粋):
(A)下記式(1)で示されるエポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に30〜100重量%含むエポキシ樹脂、【化1】(R1 は水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、フェニル基、クロル原子又はブロム原子からなる群より選ばれた同一もしくは異なる原子、又は基を示す。nは0〜5の整数を示す。)(B)一分子中にフェノール性水酸基を2個以上含むフェノール樹脂、(C)無機充填材を必須成分とし、全樹脂組成物中の無機充填材が75〜93重量%であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (6件):
C08G 59/62
, C08G 59/22
, C08K 3/00
, C08L 63/00
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (5件):
C08G 59/62
, C08G 59/22
, C08K 3/00
, C08L 63/00 C
, H01L 23/30 R
Fターム (31件):
4J002CD041
, 4J002DE146
, 4J002DE236
, 4J002DF016
, 4J002DJ016
, 4J002FD016
, 4J002GQ05
, 4J036AA01
, 4J036AD09
, 4J036AD13
, 4J036AF07
, 4J036DB03
, 4J036DC41
, 4J036FA03
, 4J036FA05
, 4J036FB08
, 4J036GA23
, 4J036JA07
, 4J036KA01
, 4M109EA02
, 4M109EA06
, 4M109EB03
, 4M109EB04
, 4M109EB06
, 4M109EB07
, 4M109EB08
, 4M109EB09
, 4M109EB12
, 4M109EB19
, 4M109EC01
, 4M109EC03
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