特許
J-GLOBAL ID：200903099364974673
シリコン単結晶引上装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-008313
公開番号（公開出願番号）：特開2000-203986
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：
【要約】【課題】チョクラルスキー法による単結晶育成過程において、石英ガラスルツボの内表面への付着シリコンをなくして、発熱体への大電流の供給を必要とせず、石英ガラスの寿命を延ばし、消費電力量の少ないシリコン単結晶引上装置を提供する。【解決手段】チャンバー2の上方に穿設された貫通孔23を貫通し石英ガラスルツボ12の内表面16に沿って降下する作動子21を具備し、この作動子21をチャンバー2外から操作し前記内表面16に付着した付着シリコンShに当てて付着シリコンShを溶融シリコンS中に落下させるシリコン単結晶引上装置。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上装置において、チャンバー上方に穿設された貫通孔を貫通し石英ガラスルツボの内表面に沿って昇降する作動子を具備し、この作動子をチャンバー外から操作し前記内表面に付着した付着シリコンに当てて付着シリコンを溶融シリコン中に落下させる構成としたことを特徴とするシリコン単結晶引上装置。
Fターム (7件)：
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF05
, 4G077CF10
, 4G077EG25
, 4G077PB11
, 4G077PB16
