特許

J-GLOBAL ID：200903099369542909

気相成長装置およびIII族窒化物半導体膜の形成方法

発明者： 石原 裕次郎 ,  砂川 晴夫 ,  碓井 彰
出願人/特許権者： 古河機械金属株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-198875
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024597
出願日： 2004年07月06日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：

【課題】鉄ドープされたIII族窒化物を含む高品質な半導体膜を安定形成する。【解決手段】反応管101と、反応管101内に設けられている基板ホルダ103と、III族原料ガスを反応管101内に供給するIII族原料ガス供給部119と、窒素原料ガスを反応管101内に供給する窒素原料ガス供給部117と、ドーピングガスを反応管101内に供給するドーピングガス供給管105と、を備える気相成長装置100を提供する。このドーピングガス供給管105は、棒状の鉄原料111と、ハロゲン含有ガスと、を反応させてハロゲン化鉄を含むドーピングガスを生成するハロゲン化鉄含有ガス生成部114を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応室と、 前記反応室内に設けられている基板保持部と、 III族原料ガスを前記反応室内に供給するIII族原料ガス供給部と、 窒素原料ガスを前記反応室内に供給する窒素原料ガス供給部と、 ドーピングガスを前記反応室内に供給するドーピングガス供給部と、 を備え、 前記ドーピングガス供給部に、高純度鉄または鉄元素を含む非有機物を含有する鉄原料が配置されることを特徴とする気相成長装置。

IPC (1件)：

H01L 21/205

FI (1件)：

H01L21/205

Fターム (7件)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045EE15 ,  5F045EE17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平4-164898号公報
  

審査官引用 (4件)

• 窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-252664   出願人：日本電気株式会社
• 特公昭58-029615
  
• 特公昭58-029615
  
• 特公昭58-029615