特許

J-GLOBAL ID：200903099370656586

集積型半導体レーザ装置

発明者： 岡本 和也 ,  山田 篤志 ,  多田 邦雄 ,  中野 義明
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007807
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255949
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザからの光を高効率で光導波路に結合させ、高効率で伝搬させることができる集積型半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】 集積型半導体レーザー装置は、基板21と、光を発振させるための活性層26と、光を伝搬させるためのコア層23と、活性層26とコア層23との間に配置された第1及び第2のクラッド層24、25とを少なくとも備えている。コア層23は、活性層26を伝搬する光のエバネッセント波領域内に配置されている。第2クラッド層25のキャリア濃度は、第1クラッド層24のキャリア濃度よりも高濃度である。活性層26から出た光は、エバネッセント結合によりコア層23に結合して伝搬される。この時、第1クラッド層24のキャリア濃度が低いため、エバネッセント光の大部分はキャリアによって吸収されることなく伝搬できる。

請求項（抜粋）：

光を発振させる活性層と、この活性層で発振した光を伝搬させるコア層と、前記活性層と前記コア層との間であって前記コア層に近接して配置された第1のクラッド層と、前記活性層と前記第1のクラッド層との間に配置された第2のクラッド層と、前記活性層に電流を流す一対の電極とを備え、前記コア層は前記活性層を伝搬する光のエバネッセント波領域内に入るように近接して配置され、前記第2のクラッド層のキャリア濃度は前記第1のクラッド層のキャリア濃度より高濃度であることを特徴とする集積型半導体レーザー装置。