特許

J-GLOBAL ID：200903099372107393

膜-電極アセンブリー及びその製造方法

発明者： アルフォンソ・カルロス・カダバル・フェルナンデス・デ・レセタ ,  リカルド・ブラチ・ビソソ ,  ティモフィーフ・セルゲイ ,  ボブロワ・リュボフ ,  ファティーフ・ウラディミール ,  ポレムブスキー・ウラディミール
出願人/特許権者： デイビッド・システムズ・テクノロジー・ソシエダッド・リミターダ
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-590239
公開番号（公開出願番号）：特表2002-533877
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2002年10月08日
要約：

【要約】フッ素(テトラフルオロエチレンとパーフルオロスルホ基を有するビニルエーテルとを含み、PE=900-1300である、加水分解されたコポリマーから成る。)と電極材料(電極触媒)の多孔質層とを含むカチオン交換膜と、不活性な導電材料と、そしてカチオン交換膜の両面に配置されたフッ素ポリマー凝集体と、から成る膜-電極アセンブリーである。フッ素を含むカチオン交換膜は、結晶化度が2〜8%の、パーフルオロスルホ基を有するビニルエーテルとを含む、テトラフルオロエチレンの加水分解されたコポリマーであり、電極材料の多孔質層は、40〜70%の空孔率を有し、カチオン交換膜面の方向に1μ当り5〜15%の空孔率勾配を有している。前記の膜-電極アセンブリーは燃料電池や水の電解、そして他の電気化学プロセスに使用される。

請求項（抜粋）：

パーフルオロスルホ基を有するビニルエーテルを含み、EWが900〜1300の、テトラフルオロエチレンの加水分解されたコポリマーから成るフッ素含有カチオン交換膜と、電極触媒である導電性の不活性物質から成る多孔質の電極材料層と、カチオン交換膜の両面に配置されたフッ素ポリマーのバインダーと、から成る膜-電極アセンブリーであって、 前記フッ素含有カチオン交換膜が、パーフルオロスルホ基を有するビニルエーテルを含み、結晶化度が2〜8%である、テトラフルオロエチレンの加水分解されたコポリマーから製造され、 さらに前記多孔質の電極材料層が、40〜70%の空孔率を有し、カチオン交換膜の表面方向に1μm当り5〜15%の空孔率の勾配を有するように製造されてなる膜-電極アセンブリー。

IPC (3件)：

H01M 8/02 ,  H01M 4/86 ,  H01M 8/10

FI (4件)：

H01M 8/02 E ,  H01M 8/02 P ,  H01M 4/86 M ,  H01M 8/10

Fターム (28件)：

5H018AA06 ,  5H018AS01 ,  5H018BB01 ,  5H018BB03 ,  5H018BB06 ,  5H018BB08 ,  5H018BB12 ,  5H018CC06 ,  5H018DD06 ,  5H018DD08 ,  5H018EE03 ,  5H018EE05 ,  5H018EE08 ,  5H018EE18 ,  5H018HH00 ,  5H018HH04 ,  5H018HH08 ,  5H026AA06 ,  5H026BB01 ,  5H026BB04 ,  5H026BB08 ,  5H026CX05 ,  5H026CX07 ,  5H026EE19 ,  5H026HH00 ,  5H026HH04 ,  5H026HH05 ,  5H026HH08