遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩野平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-150215
公開番号（公開出願番号）：特開2000-338676
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、具体的には、感度、解像力、耐ドライエッチング性、基板との密着性に優れ、更に現像の際の現像欠陥発生及びスカムの発生の問題を解消したポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、アダマンタン構造を有する特定の構造の繰り返し単位を有し、かつ酸の作用により分解し、アルカリに対する溶解性が増大する樹脂、及びフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有し、かつ酸の作用により分解し、アルカリに対する溶解性が増大する樹脂、及び(C)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。【化1】式(I)中:R1は、水素原子、ハロゲン原子又は1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。R2〜R4は、各々独立に、水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2〜R4のうち少なくとも1つは、水酸基を表す。

IPC (8件)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08K 5/46 , C08L 33/04 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/004 504 , H01L 21/027

FI (8件)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08K 5/46 , C08L 33/04 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/004 504 , H01L 21/30 502 R

Fターム (47件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE10 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 4J002BG021 , 4J002BG031 , 4J002BG041 , 4J002BG051 , 4J002BG071 , 4J002BG121 , 4J002CH012 , 4J002CH052 , 4J002EB007 , 4J002EH058 , 4J002EN046 , 4J002EN137 , 4J002EQ017 , 4J002ER026 , 4J002ES007 , 4J002EU016 , 4J002EU026 , 4J002EU046 , 4J002EU076 , 4J002EU116 , 4J002EU126 , 4J002EU136 , 4J002EU146 , 4J002EU187 , 4J002EU217 , 4J002EU236 , 4J002EV217 , 4J002EV247 , 4J002EV297 , 4J002EW177 , 4J002FD312 , 4J002FD318 , 4J002GP03

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