特許
J-GLOBAL ID：200903099381891919
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-157085
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005628
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】本発明は、金属・半導体接合を作ることにより形成されるFETを備えた半導体装置に関し、高出力、高効率化及び高周波数化を目的とする。【構成】基板1の上に形成された第一の半導体層2と、前記第一の半導体層2の上に形成されるトランジスタのゲート電極3と、前記ゲート電極3よりもゲート長方向に狭い幅を有し、前記ゲート電極3と前記第一の半導体層2の間に形成されて前記ゲート電極3とショットキー接触し、かつ、前記第一の半導体層2より低い不純物濃度又は真性の第二の半導体層4と、前記ゲート電極3の両側の領域にある前記第一の半導体層4と導通するソース電極5、ドレイン電極6とを含み構成する。
請求項（抜粋）：
基板(1)の上に形成された第一の半導体層(2)と、前記第一の半導体層(2)の上に形成されるトランジスタのゲート電極(3)と、前記ゲート電極(3)よりもゲート長方向に狭い幅を有し、前記ゲート電極(3)と前記第一の半導体層(2)の間に形成されて前記ゲート電極(3)とショットキー接触する第二の半導体層(4)と、前記ゲート電極(3)の両側の領域にある前記第一の半導体層(4)と導通するソース電極(5)、ドレイン電極(6)とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
