特許
J-GLOBAL ID:200903099392694511
誘電体材料およびセラミック部品
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石井 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-164266
公開番号(公開出願番号):特開平6-349330
出願日: 1993年06月08日
公開日(公表日): 1994年12月22日
要約:
【要約】【目的】 誘電損失が小さく(Q値が大きく)、誘電率の温度変化率が小さく、しかも低温焼成が可能な誘電体材料を提供すること、さらに、このような誘電体材料の絶縁抵抗を向上させること、また、このような誘電体材料を用いることにより、誘電体層とAg系電極とを同時焼成可能とすること。【構成】 PbWO4 100重量部に対しBi2 MgNb2 O9 を1〜15重量部含有する組成とし、好ましくは、MnO2 に換算して0.1〜1.0重量部のMnを添加する。そして、PbWO4 相とBi2 MgNb2 O9 相とを含む混晶構造とする。
請求項(抜粋):
タングステン酸鉛(PbWO4 換算)100重量部に対しビスマス系パイロクロア型化合物(Bi2 MgNb2 O9 換算)を1〜15重量部含有することを特徴とする誘電体材料。
IPC (3件):
H01B 3/12 313
, C04B 35/00
, H01P 7/10
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