特許
J-GLOBAL ID：200903099401358880
半導体単結晶の酸素濃度制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
猪熊 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-350711
公開番号（公開出願番号）：特開平6-172081
出願日： 1992年12月03日
公開日（公表日）： 1994年06月21日
要約：
【要約】【目的】反復試行を繰り返す必要を軽減し、また黒鉛炉内品の大型化や原料の大量チャージにも適用可能な半導体単結晶の長さ方向酸素濃度分布の制御方法を提供する。【構成】ショクラルスキー法によって製造する半導体単結晶の長さ方向酸素濃度分布を制御する方法において、半導体単結晶の酸素濃度に影響を与える要因を選択する工程と、各要因が酸素濃度に影響を与える形態を選択する工程と、各形態に係数を乗じて一次結合することにより、酸素濃度の推定式を作成する工程と、該推定式に実データを適用して各係数を最小2乗法によって決定する工程と、該決定した各係数を用いて、酸素濃度が所望の値となるように各要因の一部又は全部を制御する工程とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によって製造する半導体単結晶の長さ方向酸素濃度分布を制御する方法において、半導体単結晶の前記酸素濃度に影響を与える要因を選択する工程と、各要因が前記酸素濃度に影響を与える形態を選択する工程と、各形態に係数を乗じて一次結合することにより、前記酸素濃度の推定式を作成する工程と、該推定式に実データを適用して前記各係数を最小2乗法によって決定する工程と、該決定した各係数を用いて、前記酸素濃度が所望の値となるように前記各要因の一部又は全部を制御する工程とを有する半導体単結晶の酸素濃度制御方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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