特許
J-GLOBAL ID：200903099402615100
電界効果型素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-295198
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147409
出願日： 1993年11月25日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】 低電圧で駆動し、オン電流およびオン・オフ比が大きく、かつ低温プロセスで柔軟性に富んだ半導体薄膜を形成でき大面積化・大規模集積化に対応できる電界効果型素子を提供する。【構成】 基板11上に形成されたソース電極14およびドレイン電極15と、ソース電極14とドレイン電極15との間に形成されたフラーレン薄膜16からなる半導体層と、フラーレン薄膜16からなる半導体層のチャネル領域に隣接して順次形成された絶縁膜13およびゲート電極12とを有する。
請求項（抜粋）：
基板上に互いに分離して形成されたソース電極およびドレイン電極と、該ソース電極とドレイン電極との間のチャネル領域を構成するフラーレン薄膜からなる半導体層と、該フラーレン薄膜からなる半導体層のチャネル領域と隣接して順次形成された絶縁膜およびゲート電極とを具備したことを特徴とする電界効果型素子。
引用特許：
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