特許
J-GLOBAL ID：200903099408806951

磁性体のエッチング加工方法、磁気抵抗効果膜、および磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
池田 貴司

池田 貴司 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (4件)： 宮崎 昭夫 ,  金田 暢之 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-306418
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079258
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 側壁物を通じて流れる電流をより抑えることができる磁性体を加工することを可能にする磁性体のエッチング加工方法等を提供する。【解決手段】 基板101上に第1の磁性膜111、トンネル膜112、および第2の磁性膜113からなるスピントンネル磁気抵抗効果膜110を成膜し、その上面に所望の形状をしたレジスト膜102を形成する。磁性膜111,113は希土類金属-遷移金属の合金膜である。スピントンネル磁気抵抗効果膜110を、一酸化炭素ガスとアンモニアガスとの混合ガスを用いてプラズマエッチングする。スピントンネル磁気抵抗効果膜110の側面に付着した側壁物103を、酸素ガスまたは窒素ガスを用いたプラズマエッチングによって酸化または窒化させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
希土類金属および遷移金属を主な構成元素とする磁性体をエッチング加工する磁性体のエッチング加工方法において、 前記磁性体をエッチング加工したときに前記磁性体に付着する側壁物の、希土類金属に対する遷移金属の組成割合を、前記磁性体における希土類金属に対する遷移金属の組成割合よりも少なくする工程を有することを特徴とする、磁性体のエッチング加工方法。
IPC (5件)：
H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/105 ,  H01L43/12
FI (5件)：
H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  H01L21/302 104C
Fターム (17件)：
5F004AA16 ,  5F004DA00 ,  5F004DA26 ,  5F004DA28 ,  5F004DB29 ,  5F004EA01 ,  5F004EB08 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR03 ,  5F083PR12 ,  5F083PR15
引用特許：
出願人引用 (2件)

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