特許

J-GLOBAL ID：200903099412123206

集積化半導体装置の製造方法

発明者： 平田 勲夫
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-178358
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012772
出願日： 1998年06月25日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 簡便で実装信頼性が高く、生産性の高い、高集積化された集積化半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板2の側部に側方に露出する側部電極4を、上面に側部電極4と電気的に接続された上部電極3を、下面に側部電極4と電気的に接続された下部電極5をそれぞれ形成する。この絶縁基板2に半導体チップ10を実装して複数の半導体装置Bを形成する。半導体装置Bの上部電極3上に半田ボール14を載置する。この半田ボール14を加熱溶融する。この半導体装置Bの上方に、他の半導体装置Bを半田ボール14が載置された上部電極3上に他の半導体装置Bの下部電極5が重なるように積層する。半田ボール14を再び加熱溶融する。多層に高集積された集積化半導体装置Aを簡便に生産性良く得ることができる。またこのような方法にて製造される集積化半導体装置Aの実装信頼性を高いものすることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の側部に側方に露出する側部電極を、上面に側部電極と電気的に接続された上部電極を、下面に側部電極と電気的に接続された下部電極をそれぞれ形成し、この絶縁基板に半導体チップを実装して複数の半導体装置を形成し、半導体装置の上部電極上に半田ボールを載置し、この半田ボールを加熱溶融し、この半導体装置の上方に、他の半導体装置を半田ボールが載置された上部電極上に他の半導体装置の下部電極が重なるように積層し、半田ボールを再び加熱溶融すことにより製造することを特徴とする集積化半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 25/10 ,  H01L 25/11 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/14

FI (3件)：

H01L 25/14 Z ,  H05K 1/14 A ,  H01L 23/12 L

Fターム (10件)：

5E344AA01 ,  5E344AA26 ,  5E344BB02 ,  5E344BB06 ,  5E344CC09 ,  5E344CC23 ,  5E344CC25 ,  5E344DD03 ,  5E344EE13 ,  5E344EE21