特許

J-GLOBAL ID：200903099419736726

強誘電体薄膜及びその成膜方法

発明者： ▲吉▼川 貴文 ,  田中 圭介 ,  吾妻 正道
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-314892
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124444
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 Bi4-xLaxTi3O12(0≦x≦2)の組成を有する強誘電体薄膜に電圧を印加した際のリーク電流を低減する。【解決手段】 Bi4-xLaxTi3O12(0≦x≦2)の組成を有する強誘電体薄膜4にZrを、Tiに対する原子比(=Zr/Ti)が0.0005〜0.05の範囲で加える。

請求項（抜粋）：

Bi4-xLaxTi3O12(0≦x≦2)の組成を有するビスマス層状構造強誘電体薄膜であって、前記組成にZr、V、W、Ta、Nb、Ge、SnあるいはHfのうちの少なくとも1つの元素が加えられていることを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01B 3/12 304 ,  H01B 3/12 318 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01B 3/12 304 ,  H01B 3/12 318 A ,  H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 444 C

Fターム (23件)：

5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA30 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5G303AA01 ,  5G303AB08 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB05 ,  5G303CB15 ,  5G303CB35 ,  5G303CC08