特許
J-GLOBAL ID：200903099424607020
半導体素子の冷却装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
的場 基憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-130273
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324173
出願日： 2002年05月02日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：
【要約】【課題】 冷媒ジャケットと半導体素子を設けた基板との間を、電熱グリースを介さずに接合した構造の半導体素子の冷却装置において、冷媒流路の圧力損失を抑えつつ効率的に放熱を行う。【解決手段】 冷媒流通用の流路7を形成し且つ外面に半導体素子1を接合する冷媒ジャケット3を備え、半導体素子1の裏側となる流路内面に、複数の放熱用突出体4を所定間隔で設け、半導体素子1の略中心に対応する領域で突出体4の突出長さを最大とし、その外側に向かうにつれて突出体4の突出長さを漸次減少させたことにより、流路抵抗や冷媒供給用ポンプの圧力損失を抑制しつつ素子と冷媒の間の熱抵抗を低減して放熱効率を高めた。
請求項（抜粋）：
冷媒流通用の流路を形成するとともに流路外面に直接または絶縁基板を介して半導体素子を接合する冷媒ジャケットを備え、半導体素子の接合面の裏側となる流路内面に、複数の放熱用突出体を冷媒の流れに交差する方向に所定間隔で設け、各突出体は、半導体素子の略中心に対応する領域で突出長さを最大とし、その外側に向かうにつれて突出長さを漸次減少させてあることを特徴とする半導体素子の冷却装置。
Fターム (6件)：
5F036AA01
, 5F036BA05
, 5F036BA23
, 5F036BB01
, 5F036BB05
, 5F036BB41
