ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-023340
公開番号（公開出願番号）：特開2009-217253
出願日： 2009年02月04日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：

【課題】高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、高解像性かつラインエッジラフネスに優れたポジ型レジスト材料のベース樹脂用の単量体として有用なスルホニウム塩を繰り返し単位として含む高分子化合物を含有するポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)を含有し、樹脂成分(A)が、(a)酸不安定基を有する(メタ)アクリレート単位、(b)スルホニウム塩を含む置換基を有する特定の(メタ)アクリレート単位、(c)ラクトン構造を含む置換基を有する(メタ)アクリレート単位、(d)水酸基を有する有機基を含む特定のエチレン性化合物単位である繰り返し単位を含有する高分子化合物であることを特徴とするポジ型レジスト材料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(a)、(b)、(c)、(d)で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物(A)をベース樹脂として含むことを特徴とするポジ型レジスト材料。

IPC (3件)：

G03F 7/039 , G03F 7/004 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/039 601 , G03F7/004 503A , G03F7/004 504 , H01L21/30 502R

Fターム (16件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025DA34 , 2H025FA17

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