特許

J-GLOBAL ID：200903099427642110

窒化物系化合物半導体の成長方法およびその発光素子

発明者： 内田 憲治 ,  丹羽 敦子 ,  後藤 順 ,  河田 雅彦 ,  皆川 重量
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-144915
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335702
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】 (修正有)【解決手段】 第1の手段として、サファイア基板1結晶表面を反応性イオンエッチング処理し、その後窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長する。第2の手段として、これら窒化物系化合物半導体層は、(AlxGa1-x)InyN(但し、0≦x≦1、0≦y≦1)とする。そして第3、4の手段として、これら基板上に形成した窒化物系化合物半導体層は、発光ダイオードまたはレーザダイオード素子構造とする。【効果】 反応性イオンを用いてエッチングしたサファイア基板上に結晶成長することでエピタキシャル膜中の残留歪みが低減された高品質な窒化物系化合物半導体発光素子構造を作製できる。この結果、紫外領域から可視領域に対応する高品質な(AlxGa1-x)InyN系窒化物系化合物半導体発光ダイオードおよびレーザ素子構造を実現することができる。

請求項（抜粋）：

サファイアを基板結晶として用いる窒化物系化合物半導体の結晶成長において、反応性イオンエッチングした基板結晶表面上又は上部に窒化物系化合物半導体を結晶成長することを特徴とする窒化物系化合物半導体の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 Z ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18