特許
J-GLOBAL ID：200903099429973726
電極基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-085430
公開番号（公開出願番号）：特開平5-289091
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 電極基板において、電極の低比抵抗化を図る。【構成】 絶縁基板201上に電極を配置した電極基板において、該電極が窒化タンタル膜からなる下地膜203上に結晶構造が体心立方晶構造であるタンタル膜204が積層されてなるものである。また、絶縁基板上に電極を配置した電極基板において、該電極が窒化タンタル膜からなる下地膜上に結晶構造が体心立方晶構造であるタンタル膜、窒化タンタル膜をこの順に積層されてなることを特徴とするものである。特に、該窒化タンタルからなる下地膜203の膜厚が10〜1000Åであり、該窒化タンタル膜中の窒素濃度が7mol%以上13mol%以下、又は33mol%以上であるとき、特にタンタル膜204の比抵抗が低下し、好ましい。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に電極を配置した電極基板において、該電極が窒化タンタル膜からなる下地膜上に結晶構造が体心立方晶構造であるタンタル膜が積層されてなることを特徴とする電極基板。
IPC (4件)：
G02F 1/1343
, H01B 1/02
, H01B 1/08
, H01B 5/14
