特許
J-GLOBAL ID：200903099439192706
薄膜多層基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189397
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037206
出願日： 1992年07月16日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 低コスト的で基板を得ることができるとともに、信頼性の高い導体層を得ることができる薄膜多層基板およびその製造方法を提供する。【構成】 セラミックス基板1上に導体層2を形成する工程と、導体層を形成したセラミックス基板1に、有機物3、4からなり2層以上に構成したフィルムを加圧加熱積層して絶縁層5を形成する工程を実施することにより、セラミックス基板1上に導体層2および絶縁層5が形成されており、この絶縁層5が有機物からなる2層以上の層から薄膜多層基板を構成する。
請求項（抜粋）：
セラミックス基板上に導体層および絶縁層が形成されており、この絶縁層が有機物からなり2層以上に構成されていることを特徴とする薄膜多層基板。
IPC (2件)：
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