特許

J-GLOBAL ID：200903099442713660

金属配線膜の形成方法

発明者： 藤川 隆男 ,  石井 孝彦 ,  成川 裕 ,  門口 誠 ,  田口 洋治
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所 ,  日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 安田 敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-086751
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283983
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 基板とターゲットとの対面距離を適正にして加圧埋込を行う。【解決手段】 スパッタリング法による成膜時のターゲット材と、対象部材(基板)の距離を5〜50mmとして行った後、高圧ガスによる加圧埋込み処理を行う。

請求項（抜粋）：

孔もしくは溝が形成された基板の絶縁膜の表面を、スパッタリング法により銅,アルミニウム,銀等の配線膜材料で被覆した後、該配線膜材料の融点以下の温度で、高圧のガス圧力を作用させて、該配線膜材料を塑性流動もしくは拡散クリープさせて、被膜の下に残存した気孔を実質的に埋込んで消滅させる金属配線膜の形成方法において、スパッタリング法による成膜時のターゲット材と、対象部材(基板)の距離を5〜50mmとしてスパッタリングを行った後、高圧ガスによる加圧埋込み処理を行うことを特徴とする金属配線膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/285

FI (5件)：

H01L 21/88 B ,  C23C 14/34 C ,  C23C 14/34 K ,  C23C 14/58 A ,  H01L 21/285 S