特許
J-GLOBAL ID：200903099443770668
3レベルインバータ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145150
公開番号（公開出願番号）：特開2000-341961
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】配線構造に寄生するインダクタンスの影響を抑制すること。【解決手段】第1〜第4のスイッチング素子、第1,第2の結合ダイオード、これらを冷却し導体を兼ねたヒートシンク、絶縁ディスクを積層してなるスタックと、第1,第2の結合ダイオードの接続点と直流電圧源の中間電位点を接続する第1の導体と、第1のスイッチング素子と直流電圧源の正電位側を接続する第2の導体と、第4のスイッチング素子と直流電圧源の負電位側を接続する第3の導体とからなり、第2の導体を、第1のスイッチング素子の正電位側からスタック軸に対して直角にたち上げ、スタック軸に対して平行を維持して中央に寄せた配置とし、第3の導体を、第4のスイッチング素子の負電位側からスタック軸に対して直角にたち上げ、スタック軸に対して平行を維持して中央に寄せた配置とし、第1の導体を、第2と第3の導体が挟むようにして平行並走した配置する。
請求項（抜粋）：
直流電圧源の正電位側と負電位側との間に、第1,第2,第3,第4のスイッチング素子の直列回路を接続し、前記第2および第3のスイッチング素子の接続点より交流端子を導出し、前記第1および第2のスイッチング素子の接続点と前記直流電圧源の中間電位点との間に第1の結合ダイオードを接続し、前記第3および第4のスイッチング素子の接続点と前記直流電圧源の中間電位点との間に第2の結合ダイオードを接続してなり、前記第1,第2,第3,第4のスイッチング素子と前記第1および第2の結合ダイオードとを平型圧接素子とした3レベルインバータ装置において、前記第1,第2,第3,第4のスイッチング素子と、前記第1および第2の結合ダイオードと、これらを冷却しかつ導体を兼ねたヒートシンクと、絶縁ディスクとを積層してなるスタックと、前記第1および第2の結合ダイオードの接続点と前記直流電圧源の中間電位点との間を接続する第1の導体と、前記第1のスイッチング素子と前記直流電圧源の正電位側との間を接続する第2の導体と、前記第4のスイッチング素子と前記直流電圧源の負電位側との間を接続する第3の導体とからなり、前記第2の導体を、前記第1のスイッチング素子の正電位側からスタック軸に対して直角にたち上げ、当該スタック軸に対してほぼ平行を維持して中央に寄せた配置とし、前記第3の導体を、前記第4のスイッチング素子の負電位側からスタック軸に対して直角にたち上げ、当該スタック軸に対してほぼ平行を維持して中央に寄せた配置とし、前記第1の導体を、前記第2と第3の導体が挟むようにしてほぼ平行並走した配置としたことを特徴とする3レベルインバータ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H02M 7/48 Q
, H02M 7/5387 Z
5H007BB06
, 5H007CA01
, 5H007CB04
, 5H007CB05
, 5H007CC04
, 5H007CC06
, 5H007DA03
, 5H007DA05
, 5H007FA01
, 5H007FA13
, 5H007FA20
, 5H007HA04
, 5H007HA07
