特許

J-GLOBAL ID：200903099444896584

半導体光素子、及びその製造方法

発明者： 佐藤 崇広
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-088932
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289959
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】高い位置精度で半導体光デバイスが基板に実装された半導体光素子、及びその製造方法である。【解決手段】半導体光デバイス1と基板2との電極3、5上にハンダ4、6を、半導体光デバイス1に形成されたハンダ4の形状と基板2に形成されたハンダ5の形状とが精確に隙間なくぴったりと嵌合するようにパターニングの手法を用いて形成する。半導体光デバイス1と基板2とを両者のハンダ4、6を嵌合、接触させて基板2の平面方向に関して位置合わせし、その後ハンダ4、6を溶融、凝固させて半導体光デバイス1と基板2とを所定状態で接着する。

請求項（抜粋）：

半導体光デバイスと基板との電極上にハンダを、前記半導体光デバイスに形成されたハンダの形状と前記基板に形成されたハンダの形状とが精確にぴったりと嵌合するようにパターニングの手法を用いて形成し、前記半導体光デバイスと前記基板とを両者のハンダを嵌合、接触させて少なくとも基板の平面方向に関して位置合わせし、その後ハンダを溶融、凝固させて前記半導体光デバイスと前記基板とを所定状態で接着することを特徴とする半導体光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/022 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01S 5/022 ,  H01L 21/60 311 Q

Fターム (20件)：

5F044KK05 ,  5F044KK17 ,  5F044KK18 ,  5F044KK23 ,  5F044LL01 ,  5F044LL17 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ06 ,  5F044RR12 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073AB25 ,  5F073AB27 ,  5F073BA09 ,  5F073CA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073FA13 ,  5F073FA22