特許
J-GLOBAL ID：200903099452380554
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-120137
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333970
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【構成】半導体素子をリードフレームに搭載し、ワイヤボンデイングした半導体装置において、ワイヤ立ち上がり部ボンデイングワイヤ表面を20μm以下に液状樹脂でコートしたあと樹脂成形封止した。その製造方法としては半導体素子をワイヤボンデイングした後、リードフレームを反転し、半導体素子をリードフレームの下方に位置させ、液状の絶縁性樹脂吹き上げ部に接触させる事により、液状樹脂でコートする。あるいは、半導体素子をワイヤボンデイングした後、液状樹脂を粉霧状にしてボンデイングワイヤに吹き付け樹脂コートする。【効果】ボンデイングパッドのピッチやインナーリードのピッチが狭くなったり、ボンデイングワイヤが長くなったりしたとき、注入樹脂によりボンデイングワイヤが流され接触しても回路がショートせず、インナーリードとボンデイングワイヤの接合強度も強く信頼性の高いパッケージを実現する。
請求項（抜粋）：
半導体素子をリードフレームに搭載し、ワイヤボンデイングした半導体装置において、少なくてもボンデイングワイヤの半導体素子側ループ立ち上がり部付近を特定ワイヤあるいは全ワイヤを液状樹脂でコートしたあと樹脂成形封止したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/60
