特許
J-GLOBAL ID:200903099457162520

終端抵抗を内蔵するメモリモジュール及びこれを含んだ多重チャンネルの構造を有するメモリモジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩原 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-143791
公開番号(公開出願番号):特開2002-023901
出願日: 2001年05月14日
公開日(公表日): 2002年01月25日
要約:
【要約】【課題】 終端抵抗を内蔵するメモリモジュール及びこれを含んだ多重チャンネル構造を有するシステムボードを提供すること。【解決手段】 メモリモジュールはバスラインを共有する多数のメモリチップを含む。バスラインはメモリモジュールに内蔵される終端抵抗に連結され、終端抵抗には所定の電圧が印加される終端電圧端が連結される。バスラインの1つはメモリモジュールのピンのうち何れか1つのピンと連結されて外部信号ラインと連結される。このメモリモジュールを含むシステムボードは多数のバスラインが第1メモリモジュールと第2メモリモジュールに連結されるが、バスラインはメモリコントローラの1つのピンに連結される。これにより、モジュールのピン数を低減してメモリモジュールを小さくできる。また、このメモリモジュールを含むシステムボードはメモリチップ及びシステムの高速動作を満足させる。
請求項(抜粋):
バスラインを共有する多数のメモリチップと、所定の電圧が印加される終端電圧端と、前記バスラインのそれぞれと前記終端電圧端との間に連結する終端抵抗とを具備することを特徴とするメモリモジュール。
IPC (3件):
G06F 3/00 ,  G06F 13/16 510 ,  G11C 11/401
FI (3件):
G06F 3/00 K ,  G06F 13/16 510 A ,  G11C 11/34 371 K
Fターム (14件):
5B060MM06 ,  5B060MM09 ,  5M024AA22 ,  5M024AA41 ,  5M024BB30 ,  5M024BB33 ,  5M024BB34 ,  5M024DD20 ,  5M024HH09 ,  5M024LL06 ,  5M024PP01 ,  5M024PP03 ,  5M024PP07 ,  5M024PP10
引用特許:
審査官引用 (9件)
  • 高速動作メモリ・モジュールを備えたメモリ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-047136   出願人:富士通株式会社
  • 特開平2-310644
  • 特開平2-259973
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