特許
J-GLOBAL ID：200903099458076431

フラッシュメモリの記憶処理方法

発明者：
岡崎 啓三

岡崎 啓三 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 大岩 増雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-061723
公開番号（公開出願番号）：特開2002-259204
出願日： 2001年03月06日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 フラッシュメモリのメモリ容量を大きくすることなく、データのアクセスを短時間で行う。【解決手段】 フラッシュメモリ4にデータを書き込むと共に、不揮発性メモリ8にフラッシュメモリ4に記憶させたデータの最終アドレスを記憶させ、読み出すときは不揮発性メモリ8のデータの最終アドレスを検出して、フラッシュメモリ4のデータを読み出すようにする。フラッシュメモリ4はデータのみの記憶でよく、アドレスなどを記憶しないので、メモリ容量が少なくてすみ、また、不揮発性メモリ8に記憶した最終アドレスからフラッシュメモリ4のデータを読み出すので短時間の読み出しができる。特に停電などがあった時は、上記のようにデータを記憶しておき、復電時のCPU1の再立上げ時にフラッシュメモリ4のデータを迅速に読込むことができる。
請求項（抜粋）：
CPUの指令に基づいてフラッシュメモリにデータの読み書きを行うフラッシュメモリの記憶処理方法において、上記フラッシュメモリにデータを書き込む際は、上記フラッシュメモリのセクタ内にバイト毎に各データを書き込むステップと、不揮発性メモリを用意して、上記フラッシュメモリに書き込まれた各データの最終アドレスを書込むステップとを有し、上記フラッシュメモリからデータを読み出す際は、上記不揮発性メモリが記憶した読み出し対象データの最終アドレスを検出するステップと、検出した最終アドレスに基づいて上記フラッシュメモリの対応するデータを読み出すステップとを有することを特徴とするフラッシュメモリの記憶処理方法。
IPC (4件)：
G06F 12/02 510 ,  G06F 12/00 542 ,  G06F 12/00 597 ,  G06F 12/16 310
FI (4件)：
G06F 12/02 510 A ,  G06F 12/00 542 K ,  G06F 12/00 597 U ,  G06F 12/16 310 A
Fターム (9件)：
5B018GA04 ,  5B018HA35 ,  5B018NA06 ,  5B060AA07 ,  5B060AA13 ,  5B060AC18 ,  5B060MM03 ,  5B082DA00 ,  5B082JA06
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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