特許

J-GLOBAL ID：200903099460252093

ダイボンデイング方法及び装置

発明者： 川島 英顕
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283905
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102208
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 取付部材を加熱してそのマウント部のメッキ面上に半導体チップを圧接して固定する際に、特別な不活性ガス等を用いることなく、メッキ面の酸化を未然に防止できるようにする。【構成】 真空チャンバー11内における真空状態の中で、リードフレーム3を加熱ステージ13によって加熱し、その加熱されたリードフレーム3のメッキ面上に圧接ツール14によって半導体チップ1の裏面を圧接して固定する。メッキ面が酸化されることはなく、半導体チップ1がリードフレーム3に極めて確実に固定される。

請求項（抜粋）：

半導体チップを取付部材のマウント部に固定するダイボンディング方法において、前記マウント部にメッキ面が形成された取付部材を用い、真空状態の中で、前記取付部材を所定温度に加熱し、その加熱された取付部材の前記メッキ面上に前記半導体チップを圧接して固定することを特徴とするダイボンディング方法。