特許

J-GLOBAL ID：200903099460529583

真空処理装置及び真空処理方法

発明者： 陳 凱 ,  中村 静雄
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-338680
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141339
出願日： 2000年11月07日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】基板表面に薄膜を成膜しながら、正確に薄膜の膜厚を測定する技術に関する。【解決手段】本発明のスパッタリング装置10は、基板23近傍に配置された測定コイル31と、測定装置90とを有している。測定コイル31に交流電流を流すと基板23に渦電流が生じ、その渦電流により測定コイル31のインダクタンス成分が変化する。その変化量は、基板23表面に成膜された薄膜の膜厚に応じて変化するので、インダクタンス成分の変化量を求めることで、基板23表面に形成されている薄膜の膜厚を従来に比して正確に求めることができる。

請求項（抜粋）：

真空槽と、前記真空槽内に配置され、表面に基板が当接した状態で、前記基板を保持可能に構成された基板保持体と、前記基板保持体の表面近傍に位置するように前記基板保持体内に配置された測定コイルと、前記測定コイルに電流を供給して、前記基板内部に渦電流を生成させる電流供給手段と、前記渦電流によって前記測定コイルに生じる信号を測定する測定手段とを有する真空処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/54 ,  C23F 4/00

FI (3件)：

C23C 14/54 C ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 B

Fターム (16件)：

4K029BC03 ,  4K029CA05 ,  4K029EA01 ,  4K057DB01 ,  4K057DB04 ,  4K057DD01 ,  4K057DJ01 ,  4K057DM03 ,  4K057DN01 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BC08 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004CB08 ,  5F004EB02