特許

J-GLOBAL ID：200903099479091074

プラズマ原子層成長方法及び装置

発明者： 村田 和俊 ,  森 康成 ,  鷲尾 圭亮
出願人/特許権者： 三井造船株式会社
代理人 (2件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-094440
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273535
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：

【課題】ダメージの発生が抑制された状態で、プラズマを用いた原子層成長による成膜速度の向上が図れるようにする。【解決手段】成膜室内にアミノシランからなる原料ガス121を導入するとともに、成膜室の内部のシリコン基板101の上方に配置された複数のモノポールアンテナに高周波電力を供給してプラズマを生成し、原料ガスを構成しているアミノシラン(有機化合物)が分解された状態とする。これらは例えば1秒間行う。このことにより、シリコン基板101の上に、堆積シリコン層102が形成された状態とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

成膜室の内部に載置された基板を加熱した状態で、半導体若しくは金属の有機化合物からなる原料ガスを前記成膜室の内部に導入し、前記成膜室の内部に配置されたモノポールアンテナに高周波を供給してプラズマを発生させて前記有機化合物を分解し、前記半導体若しくは前記金属よりなる堆積層が形成された状態とする第1工程と、 前記原料ガスの供給を停止した後、前記成膜室の内部より前記原料ガスを除去する第2工程と、 前記成膜室の内部に酸化ガスを導入し、前記堆積層を酸化して前記基板の上に酸化層が形成された状態とする第3工程と を少なくとも備えることを特徴とするプラズマ原子層成長方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/318

FI (6件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/509 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/24 ,  H01L21/318 B

Fターム (28件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030BA29 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA04 ,  4K030JA05 ,  4K030JA11 ,  4K030KA15 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平1-179423号公報
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-320816   出願人：富士通株式会社