特許
J-GLOBAL ID：200903099482437364
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-069693
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226786
出願日： 1992年02月17日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 レーザ駆動電流の変化によるレーザアレイチップの温度変化を精度よく検出し制御して、レーザ特性を変動させる熱的クロストークを低減する。【構成】 レーザアレイチップ1の下方のメッキ層1aとチップキャリア5との間にサーミスタ40を設け、レーザアレイチップ1の温度変化を検出する。
請求項（抜粋）：
チップ基板表面に複数の発振領域を形成してなるレーザアレイチップと、該レーザアレイチップを冷却する冷却素子と、上記チップ基板裏面側に密着して配置され、上記レーザアレイチップの温度を検出する温度検出部とを備え、上記レーザアレイチップの温度が一定となるよう上記冷却素子を駆動制御するようにしたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (2件)
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特開昭61-265886
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特開昭60-015987
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