特許
J-GLOBAL ID：200903099493062125
バンプ形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-187390
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086211
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 バンプ表面を平滑に形成することができるバンプ形成方法を提供する。【構成】 LSIの電極10上に、その断面積が一定の開口部14を有した絶縁層13を形成する。この電極10上であって、この絶縁層13の開口部14内から絶縁層13上まで電気メッキにより金属を析出、成長させることによりバンプを形成する。このバンプ形成方法において、絶縁層13の開口部14内で金属を析出、成長させるときのメッキ電流Iを一定の電流値I1にする。絶縁層13上で金属を析出、成長させるときのメッキ電流Iを、一定値I1よりも増加させる。
請求項（抜粋）：
被メッキ物の表面に、断面積が深さ方向に沿って一定である開口部を有する絶縁層を形成し、電気メッキにより、この開口部内の被メッキ物表面から絶縁層の上面にまで金属を析出、成長させることにより、バンプを形成するバンプ形成方法において、上記開口部内で金属を成長させるとき印加するメッキ電流を一定値とするとともに、上記絶縁層の上面で金属を成長させるとき印加するメッキ電流の値を、上記一定値よりも増加させることを特徴とするバンプ形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/288
, H01L 21/321
